聚酰亞胺薄膜在半導(dǎo)體和微電子工業(yè)中的應(yīng)用主要表現(xiàn)在以下方面：

（1）粒子屏蔽膜：隨著集成電路的密度和芯片尺寸的增大，其抗輻射性能也越來(lái)越重要。高純度聚酰亞胺薄膜是一種有效的抗輻射防粒子屏蔽材料。組件外殼的還原膜防止了由于微量鈾和牡丹的釋放而引起的記憶誤差。當(dāng)然，聚酰亞胺包覆樹(shù)脂中的鈾含量也很低，256kDRAM的樹(shù)脂要求鈾含量低于0.1ppb。YimIDE可以防止芯片在后續(xù)封裝過(guò)程中開(kāi)裂。

（2）在微電子工業(yè)中，鈍化層和緩沖內(nèi)涂層聚酰亞胺被用作鈍化層和緩沖保護(hù)層，PI涂層能有效地阻止電子遷移和防止腐蝕，PI層對(duì)泄漏電流很小的部件起到保護(hù)作用，提高器件的機(jī)械性能，防止化學(xué)腐蝕，有效提高器件的耐濕性。PI膜具有緩沖作用，可有效減少熱應(yīng)力引起的電路故障，減少器件的損傷。聚酰亞胺涂層雖然能有效避免塑料封裝器件的開(kāi)裂，但其效果與所用聚酰亞胺材料的性能密切相關(guān)。溫度高于焊接溫度，低吸水聚酰亞胺是防止器件開(kāi)裂的理想內(nèi)涂層材料。

（3）在多層布線技術(shù)中，聚酰亞胺（主要是PI膜）可以用作多層金屬互連結(jié)構(gòu)的介電材料，多層布線技術(shù)是開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)超大規(guī)模高密度高速集成電路的關(guān)鍵技術(shù)。芯片上的多層金屬互連可以降低器件間的互連密度，降低RC時(shí)間常數(shù)和芯片面積，大大提高集成電路的速度、集成度和可靠性。鋁互連工藝不同于常用的鋁基金屬互連和氧化物介質(zhì)絕緣工藝。它主要采用高性能聚酰亞胺薄膜材料作為絕緣層，銅或鋁作為互連線，采用銅化學(xué)機(jī)械拋光。聚酰亞胺材料的C常數(shù)、平坦度和良好的制圖性能。

（4）光作為光電印制電路板（PCB）的重要基板，具有高帶寬、高密度、無(wú)電磁干擾（EMI）等優(yōu)點(diǎn)，正逐步取代電氣互連應(yīng)用于系統(tǒng)內(nèi)互連?；ミB技術(shù)是解決PCB板電氣互連瓶頸的有效方法，光電印制電路板（EOPCB）作為未來(lái)較有前途的PCB產(chǎn)品之一，從現(xiàn)有的電氣連接技術(shù)擴(kuò)展到以下幾個(gè)方面：在已開(kāi)發(fā)的PCB.氟化聚酰亞胺薄膜中加入一層導(dǎo)光層后的光透射場(chǎng)。聚酰亞胺的折射率可以通過(guò)調(diào)節(jié)共聚物的氟含量來(lái)調(diào)節(jié)。氟含量越高，含氟聚酰亞胺薄膜的折射率越小，折射率可以調(diào)節(jié)。目前，這種PI薄膜在歐洲、美國(guó)和日本已經(jīng)開(kāi)發(fā)出來(lái)，其中一些已經(jīng)開(kāi)始用于小批量生產(chǎn)光電印刷電路板。